清华大学，最新Science子刊：理想EUV光刻胶材料研究获得突破！

背景：随着集成电路特征尺寸逼近物理极限，极紫外（EUV）光刻技术对光刻胶的综合性能提出前所未有的挑战。当前主流化学放大光刻胶（CAR）和金属氧化物光刻胶（MOR）存在诸多问题，学界公认的理想光刻胶需同时满足四大标准：分子级均质体系、高EUV吸收率、高效能量利用及超小构建单元。研究目的：清华大学化学系许华平教授团队开发出基于聚碲氧烷（PTeO）的EUV光刻胶，旨在解决当前光刻胶材料的问题。结论：实验证实PTeO能以13.1 mJ/cm²剂量制备18纳米线宽，线边缘粗糙度（LER）低至1.97纳米，为下一代光刻胶设计确立全新框架。