北京大学/中国人民大学合作，Science！

本文研究了二维硒化铟薄膜的制备及其在晶体管中的应用。研究背景指出，随着人工智能和物联网技术的发展，硅基晶体管技术已接近其物理极限，亟需开发新型半导体材料。研究目的是通过固-液-固生长新范式，制备高质量的硒化铟晶圆，以提升晶体管的性能。研究结果表明，所制备的硒化铟薄膜在5厘米晶圆上展现出优异的均匀性和高结晶度，基于该晶圆的晶体管阵列在室温下实现了极高的迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅。此外，10纳米超短沟道硒化铟晶体管的关键参数超越了当前最先进的硅基技术，为下一代计算与通信技术提供了高性能解决方案。