成果 | 刘开辉课题组实现二维硒化铟半导体晶圆制备突破

本文介绍了北京大学刘开辉教授课题组与合作者在二维硒化铟（InSe）半导体晶圆制备方面的突破性进展。研究背景源于传统硅基晶体管技术在10纳米以下工艺节点面临物理极限，亟需新型半导体材料以支撑下一代集成电路发展。研究目的是通过创新“固–液–固”生长策略，解决InSe晶圆制备中的纯相和高质量难题。研究成功制备出2英寸InSe晶圆，其晶体管阵列性能超越现有二维薄膜电子器件，并在10纳米沟道器件中多项关键指标优于英特尔3纳米节点技术。结论表明，该成果为高性能、低功耗晶体管技术提供了材料基础，有望在后摩尔时代计算架构中发挥重要作用。