二维材料，Nature！

本文研究了六方氮化硼（hBN）中的单自旋缺陷，通过13C离子注入制备了三种不同类型的缺陷，并首次在范德瓦尔斯材料中实现了原子级核磁共振检测及单核自旋的相干操控。研究背景基于固体中具有光学活性的自旋缺陷在量子传感和量子网络中的应用潜力。研究目的是识别缺陷的化学结构并实现单核自旋的检测与操控。结论表明，这些缺陷在室温下仍保持量子相干性，核自旋的相干时间较电子自旋显著延长，为构建长寿命量子寄存器提供了可能。