北京科技大学：半周期不完全反应PEALD法低温制备成分可控的AlGaN薄膜

本文介绍了北京科技大学郑新和团队开发的亚循环不完全反应等离子体增强原子层沉积（SIR-PEALD）技术，用于在4H-SiC上生长成分和带隙可控的AlGaN薄膜。背景方面，传统ALD技术在制备多元化合物如AlGaN时面临成分调控困难、界面粗糙度高及元素分布不均等问题。研究目的是通过SIR-PEALD技术解决这些问题，实现薄膜成分的精准控制。实验结果表明，该技术制备的AlGaN薄膜表面粗糙度低至0.1 nm，元素分布均匀，且通过调控TMAl反应时间可实现Al/Ga比例的连续调节。结论显示，SIR-PEALD技术为三元及多元材料生长提供了新思路，未来可拓展至更多材料体系并探索其在光电器件等领域的应用。