成果 | 王新强、王平、王涛团队在纤锌矿氮化物铁电半导体研究上取得重要进展

本文报道了北京大学王新强、王平、王涛团队在纤锌矿氮化物铁电半导体界面失效层研究方面的重要进展。研究背景是纤锌矿结构氮化物铁电半导体材料（如ScAlN、ScGaN等）具有优异的铁电性能和与半导体工艺的兼容性，但在实际应用中面临厚度微缩困难、极化疲劳等问题，这些问题与界面铁电极化调控失效层密切相关。研究目的是揭示界面失效层的形成机制及控制方法。通过实验和理论研究，团队发现ScAlN/GaN异质界面附近的铁电极化调控失效源于高密度氮空位和界面压应变的共同作用。这一发现为缺陷和应变工程在先进电子、光电等器件中的应用提供了重要指导，为相关技术的规模化推广奠定了基础。