北京科技大学郑新和课题组：半周期不完全反应PEALD法低温制备成分可控的AlGaN薄膜

本文介绍了北京科技大学郑新和课题组开发的半周期不完全反应等离子体增强原子层沉积（SIR-PEALD）技术，用于在4H-SiC衬底上低温制备成分和带隙可控的AlGaN薄膜。背景方面，传统ALD技术在制备多元化合物如AlGaN时面临成分调控困难、界面粗糙度高及元素分布不均等问题。研究目的是通过SIR-PEALD技术解决这些问题，实现AlGaN薄膜的高质量生长。实验结果表明，该技术能够精确控制Al/Ga比例，薄膜表面粗糙度低至0.1 nm，元素分布均匀，且带隙可调。结论指出，SIR-PEALD技术为三元及多元材料生长提供了新思路，未来可拓展至更多材料体系及其在光电器件等领域的应用。