用“盖章”的方法，发了一篇Nature Electronics！

本文介绍了一种金属印章压印方法，用于将二维薄膜图案化成高质量的晶圆级阵列，且不会引入化学或聚合物残留物。该方法通过具有三维形貌的金属印章在印章-二维界面处形成局部接触，选择性地剥离部分二维材料，同时在生长基底上留下二维阵列。实验结果显示，该方法在保持表面清洁和晶体结构完整的同时，显著提高了器件性能和成品率。具体而言，与传统的反应离子蚀刻工艺相比，该方法使阈值电压变化降低了20倍，并在2英寸晶圆上实现了97.6%的器件成品率。这项研究为二维半导体的工业化应用提供了一种可行的解决方案。