纪幸辰/苏翼凯LPR | 780 nm 片上集成高Q值超大带宽法布里-珀罗腔

本文介绍了上海交通大学电子信息与电气工程学院光传输与集成光子学实验室（OTIP）纪幸辰副教授及苏翼凯教授团队在780 nm波段成功研发出一种具有超大带宽与高制造容差的集成F-P腔。该器件采用氮化硅（SiN）平台，结合新型三角反射结构与模式转换耦合器，实现了本征Q值达6.1×105，工作带宽超过500 nm。研究背景是量子精密测量、原子操控和窄线宽激光器等应用对高性能光子器件的需求日益增长，而传统F-P腔在可见及近可见光波段面临材料吸收高、反射器结构复杂等问题。研究目的是解决这些问题，提供一种高Q值、大带宽和制造鲁棒性的解决方案。研究结论表明，该器件在780 nm波长下的本征Q值为6.1×105，是目前已知片上集成F-P腔在该波段的最高纪录，为片上原子冷却、量子光学等应用提供了重要的技术支持。