全新技术！北京大学，今日再发Nature！

本文介绍了北京大学高鹏研究团队在Nature上发表的最新研究成果，他们利用电子显微镜下的原位振动电子能量损失谱（EELS）技术，成功在亚纳米分辨率下研究了AlN–SiC界面上的声子传输动态行为。研究背景是随着半导体器件尺寸缩小和功率密度增加，界面热阻成为主导因素，影响器件性能和稳定性。研究目的是通过实验方法精确捕捉纳米尺度上的声子传输动态行为，以解决半导体热管理问题。研究结果表明，界面处存在约2纳米范围内的温度骤降，并揭示了非平衡声子分布和界面传输动态行为，为理解和调控半导体器件的热管理提供了关键物理依据。