哈工大：新型自支撑压电单晶薄膜，为柔性高性能电子器件开发提供新思路

本文介绍了哈尔滨工业大学团队在新型自支撑压电单晶薄膜领域的研究成果。背景方面，锆钛酸铅（PbZr0.52Ti0.48O3）作为典型钙钛矿铁电材料，虽然具有优异的铁电与压电特性，但其刚性特征限制了在柔性电子器件中的应用。研究目的是解决传统制备方法导致的压电性能损失和柔性问题。团队通过晶体取向调控和水刻蚀牺牲层技术，成功制备出（111）取向的自支撑锆钛酸铅单晶薄膜，获得了高达585 pm/V的压电系数。结论表明，基于该材料构建的柔性压电能量收集器展现出优异的性能，输出电压达12V，功率密度达63.5 mW/cm3，且能稳定工作60000次循环，为柔性电子器件开发提供了新思路。