清华大学赵世玺团队AM：高熵策略抑制富锂正极材料电压衰减

本文介绍了清华大学赵世玺团队开发的一种高熵富锂层状正极材料（HELRO），该材料通过引入多种不同价态和半径的金属阳离子来调节晶体结构中的局域环境与电子结构，从而增强Mn-O键的刚性并提高迁移能垒，实现“迟滞迁移效应”。实验结果表明，HELRO在长循环后展现出极低的电压滞后和优异的电压保持率，首次验证了“迟滞迁移效应”在高熵正极材料中的存在，并揭示了其微观机制。该研究为富锂正极材料的性能提升提供了新路径，也为高熵策略在其他层状氧化物体系中的推广提供了理论基础与设计指导。