复旦大学刘云圻院士、王洋团队/宁波材料所葛子义《Angew》：基于不对称B←N功能化苯并噻二唑的高性能n型聚合物半导体

本文介绍了复旦大学刘云圻院士、王洋团队与宁波材料所葛子义团队合作，通过分子工程策略设计合成了新型不对称B←N功能化苯并噻二唑（BT）系受体单元，并开发出电子迁移率高达3.85 cm² V⁻¹ s⁻¹的单极性n型硼氮类聚合物薄膜晶体管。研究背景是当前n型聚合物OTFT器件电子迁移率较低，制约了p-n互补逻辑电路的开发。研究目的是通过硼氮配位修饰策略提升材料的电子迁移率。结论表明，该策略为高迁移率n型聚合物半导体材料的开发提供了新思路，并具备优异的耐弯折机械性能。