Adv. Sci.: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所在金属有机框架材料EUV光刻领域取得进展

该研究通过极紫外（EUV）光刻技术对卤代沸石咪唑骨架（ZIF）材料实现了无光刻胶直接图案化，图案最高分辨率达到40纳米，边缘粗糙度为8.5纳米。背景方面，金属有机框架材料（MOFs）因其高比表面积和化学可调性在微电子领域有广泛应用前景，但传统图案化方法步骤繁多且可能导致孔道堵塞。研究目的是开发无光刻胶直接图案化策略，以推动MOF在微电子器件中的大规模集成。结论显示，该研究不仅实现了高分辨率图案化，还揭示了EUV曝光引发的化学变化机制及湿度效应，为开发新型正性EUV光刻胶提供了实验依据和理论支持。