华中科技大学翟天佑团队等IM：共价有机框架打造高性能忆阻器开启下一代智能电子新时代

本文介绍了华中科技大学翟天佑团队及其合作者在共价有机框架（COFs）忆阻器领域的研究成果。背景方面，当前冯·诺依曼架构无法满足日益增长的数据处理需求，而忆阻器因其存算一体架构被认为是最有希望的解决方案之一。研究目的旨在解决COF忆阻器在结构无序性和薄膜质量方面的挑战，通过创新型的表面引发聚合策略，合成了高质量、长程有序的二维COFTP-TD薄膜。该薄膜中的一维纳米通道和亚胺键与导电丝的配位效应显著提升了器件的阻变性能，实现了高达106的开关比和2.0 × 105 s的保持时间。此外，该器件在波形数据识别任务中表现出92.17%的高准确率，展现了其在神经形态计算和人工智能领域的应用潜力。