《机电工程技术》网络首发论文抢先看（2025年4月12日）

本文研究了氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料在功率器件领域的应用，特别是其高导热性、耐高温和强抗辐射能力。研究目的是通过实验测量GaN探测器的电离能，利用核辐射探测装置和5.48 MeV α粒子测量GaN和Si探测器的能谱峰位，计算电荷量并推导GaN的电离能。实验结果显示，GaN的电离能为9.14 eV，验证了其在探测器性能上的潜力。