上海交通大学王林课题组Adv. Mater.：零回滞负电容场效应晶体管

本文介绍了上海交通大学王林团队在《Advanced Materials》上发表的研究，针对传统MOSFET器件面临的功耗问题，提出了一种零回滞负电容场效应晶体管（NC-FET）。研究采用范德华铁电材料CuCrP2S6（CCPS）和二硫化钼（MoS2）作为沟道材料，通过扫描微波阻抗显微镜（sMIM）技术表征CCPS的介电特性，并优化器件结构，实现了与扫描速率/范围无关的零回滞NC-FET技术。该技术进一步应用于反相器，表现出0.2 V的超低工作电压和零回滞特性，有望应用于存内计算、物联网终端芯片等低功耗场景。