ACS Nano | 基于二维磁性材料与异质结的自旋电子学器件

本文总结了二维磁性材料及其异质结在自旋电子学器件中的应用研究进展。背景方面，自2017年二维磁性材料被发现以来，其在磁学、电学和光学等领域展现出广阔前景，但早期研究面临居里温度低、合成可控性差等问题。研究目的方面，文章深入探讨了二维磁性材料在自旋轨道矩（SOT）、磁性隧道结（MTJ）等器件中的应用机理，并指出其在低能耗、高密度存储器件中的潜力。结论方面，文章提出了未来研究方向，包括高通量计算筛选高居里温度材料、防止界面氧化、降低能耗等，以推动高性能、低能耗的二维信息存储和逻辑器件的发展。