准一维晶格中的平带和关联电子态 | 进展

本文探讨了准一维晶格中的平带和关联电子态的研究进展。背景方面，平带材料因其特殊的色散关系和高度简并的态密度而备受关注，但目前仅在少数二维体系中证实存在平带。研究目的是探索一维材料中是否存在结构阻挫导致的拓扑平带，以及平带如何增强关联电子效应。结论部分指出，中国科学院物理研究所的研究团队首次在准一维材料CuTe链中发现了拓扑平带，并观测到了强关联效应导致的Tomonaga-Luttinger液体行为和自旋电荷分离现象。该研究为研究强关联电子行为、自旋-电荷分离以及拓扑性质提供了新的实验平台。