浙江大学，最新重磅Science！

本文报道了浙江大学朱铁军教授团队在半Heusler（HH）窄带隙半导体TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb中观察到的压电效应。研究背景涉及能量收集技术的发展，旨在实现电子设备的自给自足能源供应。研究目的为探索窄带隙半导体的压电性能，特别是HH化合物的压电效应。实验结果显示，单晶ZrNiSn和TiCoSb展现出较大的压电响应，其压电系数分别达到约38 pC/N和33 pC/N，且在高达1173 K的温度下仍保持热稳定性。结论表明，这些材料在高温压电设备和传感器中具有广泛应用潜力，并推动了多功能设备的发展。