浙江大学，再发Science！

本研究由浙江大学朱铁军团队的黄玉辉/付晨光课题组在Science期刊上发表，首次实验观察到TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb三种半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应。研究背景基于压电换能技术的广泛应用，传统压电材料主要为宽禁带电绝缘体或半导体，而窄禁带半导体因高电导率较少被研究。研究目的是探索半赫斯勒材料在压电领域的应用潜力。通过制备高质量单晶并测定其压电系数，研究团队成功开发出基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型压电器件，该器件在不同温度和应力条件下展现出稳定的电压响应和良好的热稳定性。结论指出，半赫斯勒窄带半导体材料在压电领域具有重要应用前景，并为新型压电材料的设计提供了新思路。