Matter：华南理工大学褚衍辉团队报道晶格畸变增强高熵二硼化物的电磁吸波性能
计算材料学
2025-02-22 13:22
文章摘要
本文报道了华南理工大学褚衍辉团队在Matter期刊上发表的研究成果，该研究通过晶格畸变调控高熵二硼化物（HEB）的电磁吸波性能，提出了一种新策略。研究利用晶格畸变调控金属空位浓度和局域化学有序度，通过空位诱导产生的电导损耗和偶极极化损耗，以及局域化学有序诱导产生的界面极化损耗，使HEB吸波剂在1.5mm的厚度下实现了7.2GHz的吸波带宽。该研究不仅解决了电磁辐射和电磁干扰问题，还为开发具有“薄、轻、宽、强”特性的先进吸波剂提供了新的思路。
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