一作+通讯！浙大校友刘寅，Nature Materials！
顶刊收割机
2025-02-22 08:30
文章摘要
本文研究了Eshelby扭曲位错对GeS纳米线热导率的影响，特别是在小直径纳米线中，位错引起的应力场能显著提高热导率。研究背景涉及低维材料在热电和光电应用中的潜力，尤其是热管理方面。研究目的是通过实验和计算分析，揭示位错对热导率的具体影响。研究结论表明，大直径纳米线的热导率比无扭曲的纳米线低70%，而小直径的扭曲纳米线反而表现出热导率的增高，这与位错核心区域的压缩应力密切相关。这一发现为低维材料在热管理、热电应用中的优化提供了新的思路。
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