TMD，Nature！

本文介绍了一种名为“下延生长”（hypotaxy）的新技术，该技术通过二维模板（如石墨烯）引导过渡金属二硫属化合物（TMDs）在非晶或晶格失配基底上直接生长晶圆级单晶薄膜，突破了传统外延技术的局限性。研究背景在于二维半导体材料在纳米尺度下保持优异性能，但传统方法存在厚度控制难、晶界缺陷多等问题。研究目的是开发一种新方法以实现晶圆级单晶TMDs的生长，并解决传统外延生长的基底限制和转移难题。结论显示，该技术不仅提高了材料的电学和热学性能，还支持三维集成和先进半导体工艺，为高性能晶体管、热管理器件和光电集成提供了理想材料平台。