ACS AMI 亮点速递 | 基于面内铁电极化的二维单层WS₂/PZT异质结的人工突触器件

本文介绍了复旦大学丛春晓、胡来归、刘冉团队在ACS Applied Materials & Interfaces上发表的研究，该研究基于CVD生长的二维单层WS2和铁电PZT薄膜异质结构，开发了一种新型的存储器和人工突触器件。研究通过理论分析和实验验证，揭示了铁电极化如何通过动态调制肖特基势垒影响器件的电导特性，从而实现高效的阻态切换和突触功能。该器件展现出与传统存储器不同的工作机制，具有在生物突触模拟中的应用潜力。研究不仅为理解二维材料与铁电异质集成器件的工作机制提供了新的视角，也为未来的研究指明了方向。