【Nature Materials】北京大学彭海琳教授团队-通过外延单片3D集成实现低功耗2D GAA逻辑单元

本文介绍了北京大学彭海琳教授团队在“Nature Materials”期刊上发表的最新研究，题为“Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration”。研究背景聚焦于开发低功耗、高性能的二维材料逻辑单元，以应对现代电子设备对能效和性能的双重需求。研究目的是通过外延单片三维集成技术，实现晶片级多层堆叠单晶2D GAA配置，利用高迁移率2D半导体Bi2O2Se和高κ层天然氧化物电介质Bi2SeO5的集成，达到高电子迁移率和近乎理想的亚阈值摆动。研究结论显示，这种配置不仅实现了超低工作电压和高导通电流，还展示了超低本征延迟和能量延迟积，为硅外单片三维电路的发展提供了新的可能性。