本征铁磁半金属VI₃单层的电子关联多拓扑相
计算材料学
2025-02-12 08:00
文章摘要
本文研究了本征铁磁半金属VI₃单层的电子关联多拓扑相。通过使用有效k·p和紧束缚模型，作者预测了不同Ueff下VI₃单层的二阶拓扑状态演化。研究发现，Ueff的增加会导致能带反转和晶体对称性调整，进而形成不同的拓扑态。具体而言，当Ueff ≥ 0.96 eV时，VI₃单层呈现二阶拓扑态。此外，研究还发现Ueff能有效诱导不同阶拓扑相，并导致VI₃单层从平面内磁各向异性向垂直磁各向异性转变。这些发现使VI₃单层成为探索拓扑器件的有力候选者。
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