单层NiI₂中实现取向选择的自旋极化边缘态 | 进展

本文介绍了中国科学院物理研究所在二维过渡金属卤化物领域的最新研究进展，特别是关于单层NiI2中自旋极化边缘态的发现。研究团队利用分子束外延技术在碘修饰的Au(111)表面成功合成了单层NiI2，并通过自旋极化的扫描隧道显微镜/谱技术，首次在二维磁性半导体材料中发现了自旋极化的边缘态。这一发现不仅证实了自旋极化隧道电流的存在，还提出了一种基于原子结构取向和磁场调控自旋边缘态的方法，为研究过渡金属二卤化物在二维极限下的多铁现象和新奇量子物态提供了理想平台。相关研究成果发表在Nature Communications上。