​南京大学余林蔚教授团队Nature子刊：高性能薄膜晶体管器件新进展！

南京大学余林蔚教授团队在Nature Communications期刊上发表了一项关于高性能薄膜晶体管（TFT）器件的研究。该研究针对在大面积电子器件上集成超细、超短晶硅纳米线沟道的技术挑战，提出了一种基于面内固-液-固（IPSLS）生长模式的创新方法。通过利用催化“液滴阶跳”生长动态，团队成功实现了在低温条件下（<350℃）精确控制纳米线沟道的生长，制备出直径小于30 nm、长度小于100 nm的精细沟道结构。这种新型TFT器件展示了高开关比（8×10^7）和低亚阈值摆幅（70 mV/dec）的优异性能，为新一代高性能显示、柔性电子和脑机接口应用提供了新的技术路径。