ACS Nano | 任意金属电极转移技术制备二维半导体器件

本文介绍了一种创新的金属电极转移技术，用于制备二维半导体器件。传统的金属沉积技术会破坏二维材料，导致界面缺陷和费米能级钉扎效应，影响器件性能。为了解决这一问题，研究人员提出了一种基于氢化金刚石表面的低粘附性和无悬挂键特性的通用拾放金属电极转移技术。该技术通过聚碳酸酯（PC）或聚丙撑碳酸酯（PPC）作为媒介，实现了预图案化金属的高效剥离与精准转移至二维半导体材料上，成功构建了多种功能器件。该技术具有简单、可靠、兼容性强等优点，为二维材料器件的制备提供了新的制造方法，并有望扩展到更广泛的应用领域。