武汉大学张晨栋团队: 石墨烯中引入不受转角限制可调控非局域赝磁场

本文介绍了武汉大学张晨栋教授团队在石墨烯中引入不受转角限制可调控非局域赝磁场的研究。研究背景指出，应变石墨烯中产生赝磁场是一种有前途的研究方向，但大多数研究局限于局部形变。研究团队通过构建CrCl₂/石墨烯异质界面，实现了大转角范围可调的赝磁场。研究结果显示，通过扫描隧道显微镜/谱测量，单层CrCl₂是一种对称性破缺的大带隙半导体，且在石墨烯的狄拉克点附近观察到一系列峰值，表明存在赝磁场。研究结论表明，这一研究为实现高质量、大尺寸且可调控的赝磁场平台提供了新思路。该成果发表在Materials Horizons期刊上。