北京科技大学张跃院士团队：厘米级无晶界单晶MoS2 | Nature Materials

本文介绍了北京科技大学张跃院士团队在Nature Materials期刊上发表的研究，提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的新方法，用于生长厘米级尺寸、无晶界的单晶二硫化钼（MoS2）。该方法通过在熔融玻璃基底上形成二维液态前驱体薄膜，实现了从多晶MoS2到单晶MoS2的成功转变。研究背景在于二维材料的大规模高质量生产是工业制造中的主要挑战，现有方法存在高缺陷密度和低设备均匀性的问题。研究目的是开发一种能够快速生长高质量单晶MoS2的方法，以推动二维材料的工业化应用。实验结果表明，2DCZ方法生长的MoS2单晶具有极低的缺陷密度和卓越的均匀性，为高性能电子器件的制造提供了重要的材料基础。结论指出，2DCZ方法为生长高均匀性和高质量的晶圆级MoS2提供了新的途径，有望推动传统二维材料生长方法的创新。