浙大陆俊/浙工大唐谊平、陈强ACS Energy Lett.：—增加层间铵离子存储配位位点：基于硫氰酸根配位调节二硫化钼层间结构

本文介绍了浙江工业大学和浙江大学的研究团队通过非金属离子原位预插层MoS2策略，提出了一种新的层间配位工程模型，以提高NH4+的存储效率。研究背景指出，NH4+因其独特的四面体结构和较大的水合离子半径，对主体材料提出了严格要求。研究目的在于开发一种能够提供大层间距和高稳定性的材料，以支持NH4+的高效存储。通过将非金属硫氰酸盐（SCN-）插入MoS2晶格的层间，研究团队成功增加了层间距并提供了丰富的配位位点，从而显著提高了NH4+的存储能力和结构稳定性。结论表明，这种层间增强策略为大半径离子与层状材料的高效结合提供了新思路，对高性能储能材料的设计具有重要参考价值。