二维材料，再登Nature大子刊！

本文探讨了二维过渡金属硫化物（2D TMDs）在三维晶体管架构中的应用，特别是纳米片场效应晶体管（NSFET）与纳米叉场效应晶体管（NFFET）的设计。研究通过量子输运模拟与密度泛函理论（DFT）计算，评估了三层硫化钨（WS2）作为通道材料的性能，发现其能量-延迟积（EDP）比硅基器件提升了超过55%。此外，提出的二维纳米板场效应晶体管（NPFET）在集成密度和驱动电流方面较硅基器件提升了近十倍。研究结果表明，二维材料在超薄沟道厚度下具有高载流子迁移率和良好的静电控制，为未来CMOS技术的扩展提供了新的可能性。