三星/MIT/成均馆大学合作，Nature！
研之成理
2024-12-23 12:43
文章摘要
本文由三星、MIT和成均馆大学合作，提出了一种在低温下在非晶和多晶表面上生长单晶通道材料的方法，这些材料由过渡金属二硫化物（TMD）组成，从而保护了底层电子组件。研究展示了垂直单晶逻辑晶体管阵列的无缝单体式集成，导致了前所未有的垂直互补金属氧化物半导体（CMOS）阵列的发展。这一成果为各种电子硬件以单晶形式进行三维（M3D）集成提供了机会，有望大幅减少互连距离，从而减轻RC延迟，并在给定晶圆空间内使晶体管密度翻倍。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿，本站转载出于非商业性的教育和科研之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题，请作者速来电或来函联系。
推荐文献
Erratum: Combining patient-lesion and big data approaches to reveal hippocampal contributions to spatial memory and navigation.
DOI: 10.1016/j.isci.2024.111441
Pub Date : 2024-11-22
Date: 2024/12/20 0:00:00
Compressive interatomic distance stimulates photocatalytic oxygen-oxygen coupling to hydrogen peroxide.
DOI: 10.1016/j.scib.2024.12.014
Pub Date : 2024-12-10
Daily briefing: Explore 2024 with Leif Penguinson
DOI: 10.1038/d41586-024-04208-1
Pub Date : 2024-12-20
研之成理
最新文章
胡良兵团队ACS Nano，碳纳米管制备
8小时前
京公网安备 11010802042870号
