Nature Communications | 室温下碳化硅波导中的量子纠缠

本文介绍了哈尔滨工业大学（深圳）和上海微系统与信息技术研究所的研究团队在室温下成功实现碳化硅（SiC）波导集成量子寄存器的研究成果。该研究利用SiC的CMOS工艺兼容性和丰富的量子色心资源，通过创新实验技术在SiCOI平台上实现了单电子-核自旋纠缠，并展示了其在量子网络和传感应用中的潜力。研究团队通过精确的离子注入技术和光磁共振技术，成功制备了单个SiC电子自旋阵列，并实现了对单个核自旋的操控。最终，他们在波导中制备了SiC电子自旋与核自旋的纠缠态，展示了量子寄存器与光波导的无缝集成，为未来集成光量子应用提供了新的可能性。