文章摘要
本文报道了美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校和华盛顿大学的研究人员在Nature上发表的研究成果,利用纳米级超导传感器对二维双层转角碲化钼(tMoTe2)中的边缘磁场进行了绘制。研究揭示了在零磁场下分数陈氏绝缘体(FCI)态的形成,特别是在第一空穴莫尔超晶格带的半填充ν=−1, −2/3, −3/5, −4/7和−5/9处观察到局域磁场的振荡,这与FCI的形成相似。研究还确定了ν=−2/3时最稳健的FCI态的局域热力学能隙,并发现其能隙高达7MeV。此外,研究还表征了样品的空间无序,主要由有效晶胞面积的不均匀性、边缘带偏移和束缚偶极矩的不均匀性引起。这一结果强调了在同质双层转角莫尔系统研究中结构无序带来的挑战,同时也突显了潜在相关拓扑态的鲁棒性。
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