Nature:扭曲双层WSe2中的超导性
材料人
2024-11-04 09:56
文章摘要
本文报道了在扭曲双层二硒化钨(tWSe2)中观察到的稳健超导性,特别是在3.5°和3.65°的扭曲角度下。研究显示,超导性出现在半带填充和零外部位移场附近,最佳超导转变温度约为200 mK。该超导态在半能带填充以下和以上与两种不同的金属态接壤,并通过调整外部位移场,经历向关联绝缘体的连续转变。研究还指出,超导性的根源在于强电子关联,这为理解莫尔材料中超导性的本质提供了新的视角。
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