Light | 硅基超高亮度Micro-LED微显示芯片制造

本文介绍了湖南大学潘安练教授和李东教授团队联合诺视科技、晶能光电等合作者，成功开发了基于硅衬底GaN的高质量Micro-LED外延片制备工艺，实现了超高亮度的绿光Micro-LED微显模组。研究团队通过开发“Ga原子表面活性剂辅助生长”方法，制备出低位错密度和高波长均匀性的绿光Micro-LED外延结构。此外，团队还开发了湿法修复和粗化技术，有效提升了Micro-LED的光提取效率，实现了像素尺寸为5 μm的Micro-LED微显示阵列最高发光亮度可达1000万尼特。最后，团队通过垂直非对准键合集成技术，成功构建了与硅基CMOS紧密集成的可独立寻址的Micro-LED显示芯片，为高亮度GaN基Micro-LED微显示的规模化制造和应用提供了重要支撑。