Light | 硅基超高亮度Micro-LED微显示芯片制造
LightScienceApplications
2024-10-23 19:00
文章摘要
本文介绍了湖南大学潘安练教授和李东教授团队联合诺视科技、晶能光电等合作者,成功开发了基于硅衬底GaN的高质量Micro-LED外延片制备工艺,实现了超高亮度的绿光Micro-LED微显模组。研究团队通过开发“Ga原子表面活性剂辅助生长”方法,制备出低位错密度和高波长均匀性的绿光Micro-LED外延结构。此外,团队还开发了湿法修复和粗化技术,有效提升了Micro-LED的光提取效率,实现了像素尺寸为5 μm的Micro-LED微显示阵列最高发光亮度可达1000万尼特。最后,团队通过垂直非对准键合集成技术,成功构建了与硅基CMOS紧密集成的可独立寻址的Micro-LED显示芯片,为高亮度GaN基Micro-LED微显示的规模化制造和应用提供了重要支撑。
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