二维材料，Science！

本文通过四维扫描透射电子显微镜（4D-STEM）和第一性原理计算，研究了扭曲双层二硫化钼（MoS2）中的局部拓扑极性电场及其与扭转角度的关系。研究发现，扭曲引起的莫尔超结构使得MoS2中的拓扑涡旋场不仅呈现平面取向，而且在广泛的扭转角度范围内展现出可调性。实验首次观察到了在扭曲双层MoS2中存在的平面拓扑极性电场，揭示了其与扭转角度之间的关系。此外，研究还发现局部电偶极矩导致了自发极化域的形成，这些域的存在是由维度约束、错配弹性能量和界面电荷效应之间的平衡所促成。这一发现为调控二维材料的电特性提供了新的思路，并为未来基于扭曲二维材料的器件应用奠定了理论基础。