桂林理工徐军古Acta Materialia: Ga/Mo共掺杂稳定的四方LaNbO4材料的高浓度氧空位及电导率提升

本文报道了通过Ga和Mo共掺杂在LaNbO4中实现高浓度氧空位及电导率提升的研究。研究背景为固体氧化物燃料电池（SOFC）需要高效的氧离子导体，而LaNbO4基材料因其化学稳定性被视为潜在的候选材料。研究目的在于通过掺杂提高LaNbO4的氧空位浓度和电导率，同时稳定其高温四方相至室温。研究结果表明，Ga和Mo的等摩尔共掺杂不仅显著提高了氧空位浓度，还稳定了四方相至室温，电导率在900°C下达到3×10−3 S cm-1。通过计算模拟揭示了氧空位的局域结构和迁移机制，为LaNbO4基材料作为新型氧离子导体提供了科学依据。