InxAl1-xAs固体溶液的电物理测量

Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases Pub Date : 2019-03-06 DOI:10.17308/KCMF.2019.21/720

Ekaterina A. Mikhailyuk, Tatyana V. Prokopova, D. A. Zhukalin

{"title":"InxAl1-xAs固体溶液的电物理测量","authors":"Ekaterina A. Mikhailyuk, Tatyana V. Prokopova, D. A. Zhukalin","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/720","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Методом вольт-фарадных характеристик исследованы тонкие (~ 1 мкм) преднамеренно нелегированные слои InxAl1-xAs, выращенные методом MBE на полуизолирующей подложке InP. Показано, что исследованные при комнатной температуре слои InxAl1-xAs имеют n – тип проводимости. При экспериментальном исследовании температурных зависимостей дифференциальной проводимости обнаружен центр локализации заряда, эффективное значение энергии которого находится в запрещенной зоне твердого раствора InxAl1-xAs (, Eg = 1.5 эВ) и составляет ~ 0.49 эВ до верха зоны проводимости твердого раствора. \n \nБЛАГОДАРНОСТИ \nАвторы выражают искреннюю благодарность всему коллективу Новосибирского Института физики полупроводников СО РАН, лично Гилинскому Александру Михайловичу за предоставленные образцы и Воронежскому государственному университету инженерных технологий за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов. \n \n \nЛИТЕРАТУРА \n \nYamashita Y., Endoh A., Shinohara K., Hikosaka K., Matsui T, Hiyamizu S., Mimura T. IEEE Electron Device Letters, 2002, vol. 23, iss. 10, p. 573. https://doi.org/10.1109/led.2002.802667 \nChang E.-Y., Kuo C.-I., Hsu H.-T., Chiang C.-Y., Miyamoto Y. Applied Physics Express, 2013, vol. 6, iss. 3, p. 34001. https://doi.org/10.7567/apex.6.034001 \ndel Alamo A. Nature, 2011, vol. 479, pp. 317-323. https://doi.org/10.1038/nature10677 \nStillman W. J., Shur. M. S. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2007, vol. 2, no. 3, pp. 209-221. https://doi.org/10.1166/jno.2007.301 \nAdachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Wiley, 2009, p. 422. \nDenton A. R., Ashcroft N. W. Rev. A., 1991, vol. 43, iss. 6, pp. 3161-3164. https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161 \nVurgaftman , Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. J. Appl. Phys., 2001, vol. 89, iss. 11, pp. 5815-5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156 \nSze S. M. Physicsof Semiconductor Devices. Wiley, 1969, 2nd Ed. 1981, 868 p. \nCasey H. C., Cho A. Y., Lang D. V., Nicollian E. H., Foy P. W. Appl. Phys., 1979, vol. 50, iss. 5, pp. 3484-3491. https://doi.org/10.1063/1.326343 \nForrest S. R., Kim O. K. Appl. Phys., 1982, vol. 53, iss. 8, pp. 5738. https://doi.org/10.1063/1.331462 \n","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"51 201 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-03-06","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Электрофизические измерения твердых растворов InxAl1-xAs\",\"authors\":\"Ekaterina A. Mikhailyuk, Tatyana V. Prokopova, D. A. Zhukalin\",\"doi\":\"10.17308/KCMF.2019.21/720\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Методом вольт-фарадных характеристик исследованы тонкие (~ 1 мкм) преднамеренно нелегированные слои InxAl1-xAs, выращенные методом MBE на полуизолирующей подложке InP. Показано, что исследованные при комнатной температуре слои InxAl1-xAs имеют n – тип проводимости. При экспериментальном исследовании температурных зависимостей дифференциальной проводимости обнаружен центр локализации заряда, эффективное значение энергии которого находится в запрещенной зоне твердого раствора InxAl1-xAs (, Eg = 1.5 эВ) и составляет ~ 0.49 эВ до верха зоны проводимости твердого раствора. \\n \\nБЛАГОДАРНОСТИ \\nАвторы выражают искреннюю благодарность всему коллективу Новосибирского Института физики полупроводников СО РАН, лично Гилинскому Александру Михайловичу за предоставленные образцы и Воронежскому государственному университету инженерных технологий за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов. \\n \\n \\nЛИТЕРАТУРА \\n \\nYamashita Y., Endoh A., Shinohara K., Hikosaka K., Matsui T, Hiyamizu S., Mimura T. IEEE Electron Device Letters, 2002, vol. 23, iss. 10, p. 573. https://doi.org/10.1109/led.2002.802667 \\nChang E.-Y., Kuo C.-I., Hsu H.-T., Chiang C.-Y., Miyamoto Y. Applied Physics Express, 2013, vol. 6, iss. 3, p. 34001. https://doi.org/10.7567/apex.6.034001 \\ndel Alamo A. Nature, 2011, vol. 479, pp. 317-323. https://doi.org/10.1038/nature10677 \\nStillman W. J., Shur. M. S. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2007, vol. 2, no. 3, pp. 209-221. https://doi.org/10.1166/jno.2007.301 \\nAdachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Wiley, 2009, p. 422. \\nDenton A. R., Ashcroft N. W. Rev. A., 1991, vol. 43, iss. 6, pp. 3161-3164. https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161 \\nVurgaftman , Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. J. Appl. Phys., 2001, vol. 89, iss. 11, pp. 5815-5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156 \\nSze S. M. Physicsof Semiconductor Devices. Wiley, 1969, 2nd Ed. 1981, 868 p. \\nCasey H. C., Cho A. Y., Lang D. V., Nicollian E. H., Foy P. W. Appl. Phys., 1979, vol. 50, iss. 5, pp. 3484-3491. https://doi.org/10.1063/1.326343 \\nForrest S. R., Kim O. K. Appl. Phys., 1982, vol. 53, iss. 8, pp. 5738. https://doi.org/10.1063/1.331462 \\n\",\"PeriodicalId\":17879,\"journal\":{\"name\":\"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases\",\"volume\":\"51 201 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-03-06\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/720\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/720","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

MBE在半绝缘的InxAl1-xAs底盘上种植的薄薄的、未经授权的InxAl1-xAs层被分析。在室温下测试的InxAl1-xAs层具有n型导电性。在对微分导电性温度依赖的实验研究中，发现了电荷定位中心，其有效的能量值位于被禁止的InxAl1-xAs (Eg = 1.5 ev)，在固体溶液的顶端为0.49 ev。提交人真诚地感谢新西伯利亚半导体物理研究所全体工作人员，感谢吉林斯基·米哈伊洛维奇亲自向国立工程大学提供样品和沃罗涅茨基就实验成果进行了富有成果的讨论。Yamashita Y, Endoh A, Shinohara K, Hikosaka K，松下T, Hiyamizu S, Mimura T. ieamizu S, 2002年，vol 23，接吻。10号p. 573https://doi.org/10.1109/led.2002.802667 Chang e - Y。库奥c -I我叫Hsu . T。Miyamoto ye应用物理快车，2013年，vol 6, iss。3p 34001https://doi.org/10.7567/apex.6.034001 del Alamo a . Nature, 2011, vol 479 pp - 317 - 323。https://doi.org/10.1038/nature10677 Shur w Stillman J。nanoelecronics和optoelecronics杂志，2007年，vol 2, no。3pp 209-221https://doi.org/10.1166/jno.2007.301 Adachi s . (of Semiconductor Alloys: Group - IV, III - V and II - VI半导体。威利，2009年，p. 422Denton A. R, Ashcroft nw . reva, 1991年，vol 43, iss。六pp 3161-3164https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161 Vurgaftman Meyer j R, Ram Mohan l . R . j . Appl。Phys。2001年，vol, 89, iss。11 pp 5815-5875https://doi.org/10.1063/1.1368156 Sze s . m . Physicsof半导体设备。威利，1969年，2nd Ed, 1981年，868 p，凯西H，朗格d V，尼科利安e H, Foy p。Phys。1979年，50，接吻。5pp 3484-3491https://doi.org/10.1063/1.326343 Kim o . k Appl福瑞s . R。Phys。1982年，vol, 53, iss。8 pp 5738https://doi.org/10.1063/1.331462

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

Электрофизические измерения твердых растворов InxAl1-xAs

Методом вольт-фарадных характеристик исследованы тонкие (~ 1 мкм) преднамеренно нелегированные слои InxAl1-xAs, выращенные методом MBE на полуизолирующей подложке InP. Показано, что исследованные при комнатной температуре слои InxAl1-xAs имеют n – тип проводимости. При экспериментальном исследовании температурных зависимостей дифференциальной проводимости обнаружен центр локализации заряда, эффективное значение энергии которого находится в запрещенной зоне твердого раствора InxAl1-xAs (, Eg = 1.5 эВ) и составляет ~ 0.49 эВ до верха зоны проводимости твердого раствора. БЛАГОДАРНОСТИ Авторы выражают искреннюю благодарность всему коллективу Новосибирского Института физики полупроводников СО РАН, лично Гилинскому Александру Михайловичу за предоставленные образцы и Воронежскому государственному университету инженерных технологий за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов. ЛИТЕРАТУРА Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K., Hikosaka K., Matsui T, Hiyamizu S., Mimura T. IEEE Electron Device Letters, 2002, vol. 23, iss. 10, p. 573. https://doi.org/10.1109/led.2002.802667 Chang E.-Y., Kuo C.-I., Hsu H.-T., Chiang C.-Y., Miyamoto Y. Applied Physics Express, 2013, vol. 6, iss. 3, p. 34001. https://doi.org/10.7567/apex.6.034001 del Alamo A. Nature, 2011, vol. 479, pp. 317-323. https://doi.org/10.1038/nature10677 Stillman W. J., Shur. M. S. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2007, vol. 2, no. 3, pp. 209-221. https://doi.org/10.1166/jno.2007.301 Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Wiley, 2009, p. 422. Denton A. R., Ashcroft N. W. Rev. A., 1991, vol. 43, iss. 6, pp. 3161-3164. https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161 Vurgaftman , Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. J. Appl. Phys., 2001, vol. 89, iss. 11, pp. 5815-5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156 Sze S. M. Physicsof Semiconductor Devices. Wiley, 1969, 2nd Ed. 1981, 868 p. Casey H. C., Cho A. Y., Lang D. V., Nicollian E. H., Foy P. W. Appl. Phys., 1979, vol. 50, iss. 5, pp. 3484-3491. https://doi.org/10.1063/1.326343 Forrest S. R., Kim O. K. Appl. Phys., 1982, vol. 53, iss. 8, pp. 5738. https://doi.org/10.1063/1.331462

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases

自引率

0.00%

发文量