V. V. Volkov, Vasil I. Sidey, A. V. Naumov, Ivan N. Nekrylov, Nikolay Yu. Brezhnev, E. N. Malygina, A. Zavrazhnov
{"title":"硫化镓高温立方修改(hs = 59%)和h - Ga - S系统图","authors":"V. V. Volkov, Vasil I. Sidey, A. V. Naumov, Ivan N. Nekrylov, Nikolay Yu. Brezhnev, E. N. Malygina, A. Zavrazhnov","doi":"10.17308/KCMF.2019.21/715","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели. \n \nИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ \nРабота выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а. \n \n \nЛИТЕРАТУРА \n \nKogler M., Kock E. M., Klotzer B., Penner S. Phys. Chem. – Amer. Chem. Soc., 2016, vol. 120, iss. 39, pp. 22443–22454. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234 \nLokshin E. P., Sidneva T. A. prikl. chim. [Russian Journal of Applied Chemistry], 2006, vol. 79, iss. 8, pp. 1220–1224. https://doi.org/10.1134/s1070427206080027 \nXu M., Liang T., Shi M., Chen H. Rev., 2013, vol. 113, pp. 3766–3798. https://doi.org/10.1021/cr300263a \nZhang M. J., Jiang X. M., Zhou L. J., Guo G. C. Mater. Chem., vol. C1, 2013. pp. 4754–4760. https://doi.org/10.1039/c3tc30808a \nParthé E. Elements of Inorganic Structural Chemistry. Wien, 1990, 144 p. \nPardo M., Tomas A., Guittard M. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677–1684. https://doi.org/10.1016/0025-5408(87)90011-0 \nPardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 \nOrmont B. F. Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors]. Moscow, Vysshaya shkola Publ., 1982, 528 p. (in Russ.) \nBerezin S. S., Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V. , Nekrylov I. N., Brezhnev N. Yu. Condensed Matter and Interphases, 2017, vol. 19, no. 3, pp. 321–335. URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ.) \nZavrazhnov A., Berezin S., Kosyakov A., Naumov A., Berezina, Brezhnev N. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, vol. 134, iss. 1, pp. 483–492. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z \nNolze G., Kraus W. Powder Diffraction, 1998, vol. 13, no. 4, pp. 256–259. \nHolland J. B., Redfern S. A. T. J. Appl. Cryst., 1997, vol. 30, p. 84. https://doi.org/10.1107/s0021889896011673 \nGoodyear J., Steigmann G. A. Acta Crystallogr., 1963, vol. 16, pp. 946–949. https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565 \nKuhn A., Bourdon A., Rigoult J., Rimsky A. Rev. B, 1982, v. 25, iss. 6, pp. 4081 – 4088. https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081 \nHahn H., Klingler W. Anorg. Allgem. Chemie, 1949, vol. 259, pp. 135–142. https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111 \nWebster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x \nPardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 \nWebster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x \nBerezin S. S., Berezina V., Zavrazhnov A. Yu. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 6, pp. 555–563.https://doi.org/10.1134/s0020168513060010 \nStreetman G. Solid State Electronic Devices, Pearson, 2016, 621 p. \n","PeriodicalId":17879,"journal":{"name":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","volume":"11 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-03-06","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Высокотемпературная кубическая модификация сульфида галлия (хs = 59 мол %) и Т, х-диаграмма системы Ga – S\",\"authors\":\"V. V. Volkov, Vasil I. Sidey, A. V. Naumov, Ivan N. Nekrylov, Nikolay Yu. Brezhnev, E. N. Malygina, A. Zavrazhnov\",\"doi\":\"10.17308/KCMF.2019.21/715\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели. \\n \\nИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ \\nРабота выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а. \\n \\n \\nЛИТЕРАТУРА \\n \\nKogler M., Kock E. M., Klotzer B., Penner S. Phys. Chem. – Amer. Chem. Soc., 2016, vol. 120, iss. 39, pp. 22443–22454. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234 \\nLokshin E. P., Sidneva T. A. prikl. chim. [Russian Journal of Applied Chemistry], 2006, vol. 79, iss. 8, pp. 1220–1224. https://doi.org/10.1134/s1070427206080027 \\nXu M., Liang T., Shi M., Chen H. Rev., 2013, vol. 113, pp. 3766–3798. https://doi.org/10.1021/cr300263a \\nZhang M. J., Jiang X. M., Zhou L. J., Guo G. C. Mater. Chem., vol. C1, 2013. pp. 4754–4760. https://doi.org/10.1039/c3tc30808a \\nParthé E. Elements of Inorganic Structural Chemistry. Wien, 1990, 144 p. \\nPardo M., Tomas A., Guittard M. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677–1684. https://doi.org/10.1016/0025-5408(87)90011-0 \\nPardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 \\nOrmont B. F. Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors]. Moscow, Vysshaya shkola Publ., 1982, 528 p. (in Russ.) \\nBerezin S. S., Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V. , Nekrylov I. N., Brezhnev N. Yu. Condensed Matter and Interphases, 2017, vol. 19, no. 3, pp. 321–335. URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ.) \\nZavrazhnov A., Berezin S., Kosyakov A., Naumov A., Berezina, Brezhnev N. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, vol. 134, iss. 1, pp. 483–492. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z \\nNolze G., Kraus W. Powder Diffraction, 1998, vol. 13, no. 4, pp. 256–259. \\nHolland J. B., Redfern S. A. T. J. Appl. Cryst., 1997, vol. 30, p. 84. https://doi.org/10.1107/s0021889896011673 \\nGoodyear J., Steigmann G. A. Acta Crystallogr., 1963, vol. 16, pp. 946–949. https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565 \\nKuhn A., Bourdon A., Rigoult J., Rimsky A. Rev. B, 1982, v. 25, iss. 6, pp. 4081 – 4088. https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081 \\nHahn H., Klingler W. Anorg. Allgem. Chemie, 1949, vol. 259, pp. 135–142. https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111 \\nWebster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x \\nPardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 \\nWebster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x \\nBerezin S. S., Berezina V., Zavrazhnov A. Yu. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 6, pp. 555–563.https://doi.org/10.1134/s0020168513060010 \\nStreetman G. Solid State Electronic Devices, Pearson, 2016, 621 p. \\n\",\"PeriodicalId\":17879,\"journal\":{\"name\":\"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases\",\"volume\":\"11 1\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2019-03-06\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/715\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.17308/KCMF.2019.21/715","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
摘要
精确相位图系统领域的Ga - S为30.0至60.7 / mol %领域系列和温度从室温到1220°c。s-Ga2S3阶段被分离和结构描述，其sfarerital结构(pr)。预热。晶格5.21 A的参数，在高卢晶格下存在原子短缺，也得到热分析证实。a-Ga2S3 (Cc)和b-GaS (P63/mmc)的参数的温度关系已经确定，表明后者的参数与范德瓦裂隙增加的温度有很大关系。资金来源在rfi的财政支持下完成，项目18-33-00900 mol。《Kogler M》、《Kock E. M》、《lotzer B》、《Penner S. Phys》等文学作品。化学赞。Amer。化学赞。Soc。2016年，vol, 120, iss。39 pp 22443 - 22454https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234 Sidneva t . a . prikl Lokshin e . P。chim。俄罗斯拥抱漫画杂志，2006年，vol, 79, iss。8 pp 1220 - 1224M,算法所T https://doi.org/10.1134/s1070427206080027许志永。,Shi M, Chen h . Rev。2013年,vol 3766是3798 113,pp。https://doi.org/10.1021/cr300263a Zhang M . J, Jiang x M。Zhou l . J, Guo g . c .的母校。化学赞。2013年C1pp 4754 - 4760。https://doi.org/10.1039/c3tc30808a Parthe e .《Inorganic结构性Chemistry》。维恩，1990年，144 p，帕尔多M, Tomas A，吉他d, res Bull。1987年，vol, 22, pp, 1677 - 1684。Pardo https://doi.org/10.1016/0025-5408 (87) 90011 - 0 M . P . a, M Guittard。Chilouet Pardo M . P . M, Guittard Chilouet a Solid State化学赞。。1993年，vol, 102, pp, 423 - 433。https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054 Ormont b . f . Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [= to Crystal化学of Physical Chemistry》and半导体]。莫斯科，Vysshaya shkola Publ。1982年，528个pBerezin S. Zavrazhnov A. Yu。Naumov a.v.， Nekrylov I. N, Brezhnev N. Yu。验证和接口，2017,vol, 19, no。3 pp 321 - 335URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ。)Zavrazhnov A, bersyakov A, Naumov A, Brezhnev nj和Calorimetry, 2018, vol, 134, iss。1 pp 483 - 492https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z Nolze G w . Kraus檫Diffraction 1998 vol。13,no。4 pp 256 - 259荷兰J. B. Redfern S. A. J. Appl。Cryst。1997年vol 30 p 84https://doi.org/10.1107/s0021889896011673 Steigmann g . a . Acta Crystallogr固特异J。1963年，vol, 16, pp, 946 - 949。https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565·库恩,Bourdon A。A, Rigoult J Rimsky Rev. B, 1982年,v . 25, iss。六pp 4081 - 4088H。w, Klingler Anorg https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081哈恩。Allgem。Chemie, 1949年，vol, 259, pp, 135 - 142。j https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111韦氏Wiley electric and Electronics工程百科全书》。约翰·威利和儿子，1999年，pp, 147 - 158。https://doi.org/10.1002/047134608x Pardo M.P。a, M Guittard。Chilouet Pardo M.P、Guittard M。Chilouet a Solid State化学赞。1993年，vol, 102, pp, 423 - 433。j https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054韦氏Wiley electric and Electronics工程百科全书》。约翰·威利和儿子，1999年，pp, 147 - 158。https://doi.org/10.1002/047134608x Berezin S . S, Zavrazhnov Berezina V。a . Yu。组织物质，2013年，vol, 49, no。6、pp。555 - 563.https: / / doi.org/10.1134/s0020168513060010 Streetman g . Solid State Electronic Devices 5270 2016, 621 p。
Высокотемпературная кубическая модификация сульфида галлия (хs = 59 мол %) и Т, х-диаграмма системы Ga – S
Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели.
ИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а.
ЛИТЕРАТУРА
Kogler M., Kock E. M., Klotzer B., Penner S. Phys. Chem. – Amer. Chem. Soc., 2016, vol. 120, iss. 39, pp. 22443–22454. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234
Lokshin E. P., Sidneva T. A. prikl. chim. [Russian Journal of Applied Chemistry], 2006, vol. 79, iss. 8, pp. 1220–1224. https://doi.org/10.1134/s1070427206080027
Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. Rev., 2013, vol. 113, pp. 3766–3798. https://doi.org/10.1021/cr300263a
Zhang M. J., Jiang X. M., Zhou L. J., Guo G. C. Mater. Chem., vol. C1, 2013. pp. 4754–4760. https://doi.org/10.1039/c3tc30808a
Parthé E. Elements of Inorganic Structural Chemistry. Wien, 1990, 144 p.
Pardo M., Tomas A., Guittard M. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677–1684. https://doi.org/10.1016/0025-5408(87)90011-0
Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054
Ormont B. F. Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors]. Moscow, Vysshaya shkola Publ., 1982, 528 p. (in Russ.)
Berezin S. S., Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V. , Nekrylov I. N., Brezhnev N. Yu. Condensed Matter and Interphases, 2017, vol. 19, no. 3, pp. 321–335. URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ.)
Zavrazhnov A., Berezin S., Kosyakov A., Naumov A., Berezina, Brezhnev N. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, vol. 134, iss. 1, pp. 483–492. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z
Nolze G., Kraus W. Powder Diffraction, 1998, vol. 13, no. 4, pp. 256–259.
Holland J. B., Redfern S. A. T. J. Appl. Cryst., 1997, vol. 30, p. 84. https://doi.org/10.1107/s0021889896011673
Goodyear J., Steigmann G. A. Acta Crystallogr., 1963, vol. 16, pp. 946–949. https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565
Kuhn A., Bourdon A., Rigoult J., Rimsky A. Rev. B, 1982, v. 25, iss. 6, pp. 4081 – 4088. https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081
Hahn H., Klingler W. Anorg. Allgem. Chemie, 1949, vol. 259, pp. 135–142. https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111
Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x
Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054
Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x
Berezin S. S., Berezina V., Zavrazhnov A. Yu. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 6, pp. 555–563.https://doi.org/10.1134/s0020168513060010
Streetman G. Solid State Electronic Devices, Pearson, 2016, 621 p.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
