更正“揭示排列碳纳米管阵列场效应晶体管中金属-碳纳米管界面润湿和覆盖”

IF 9.1 1区材料科学 Q1 CHEMISTRY, MULTIDISCIPLINARY

Nano Letters Pub Date : 2025-09-24 DOI:10.1021/acs.nanolett.5c04583

Haozhe Lu, , , Bo Wang, , , Yichen Li, , , Panpan Zhang, , , Qingyun Lin, , , Xiaoming Ma*, , , Zhiyong Zhang*, , and , Chuanhong Jin*,

引用次数: 0

摘要

在我们的原始论文中，在对图4所示数据的分析中发现了一个错误。在将实验数据拟合到我们提出的模型的过程中，涉及润湿参数CCM-max的错误计算导致了计算结果的偏差。这个错误导致了归一化接触电阻、rc阵列的不正确值，以及图4中模型拟合的不准确描述。更正后的图4如下所示。图4。(a)由eq 1得出的（CCM×ρ）−1与ρ的关系图。图中放大的标记表示相应金属接触条件下的最佳密度（最小接触电阻）。(b)接触电阻（RC）与接触长度（LC）的关系比较。方形数据点及其实体拟合线是根据eq 1对单个碳纳米管fet的RC进行估计而得到的，该估计基于缩放到a -碳纳米管的情况（详见SI）。空心方格及其虚线表示考虑碳纳米管束缺陷的拟合结果。30,44橙色星形图对应于a -碳纳米管场效应管与Pd接触的实验数据三角形表示单个碳纳米管器件端接触配置的实验结果，使用A-CNTs.27的平行连接模型估计其中带箭头的水平线表示硅中不同技术节点上LC和RC的范围，便于比较碳基器件和硅基器件在同一节点上的RC。SI提供了不同技术节点的LC和RC的确定（表S3）。此外，在10237页左栏第一段，短语“……RC值为~ 115 Ω·μm （Pd）和~ 80 Ω·μm (Sc)，在LC = 50 nm…”应该替换为“RC值为~ 34 Ω·μm （Pd）和~ 53 Ω·μm (Sc)，在LC = 50 nm…”。这个更正只影响图4和相关的讨论。论文的基本理论模型、实验方法和整体科学结论不受影响，仍然有效。配套信息也做了相应的更新。支持信息可在https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.5c04583免费获取。更正“揭示金属-碳纳米管界面润湿和覆盖对齐的基于碳纳米管阵列的场效应晶体管”2次观看0次分享0次下载大多数电子支持信息文件无需订阅ACS网络版即可获得。这些文件可以通过文章下载用于研究用途（如果相关文章有公共使用许可链接，该许可可以允许其他用途）。如有其他用途，可通过RightsLink权限系统http://pubs.acs.org/page/copyright/permissions.html向ACS申请。这篇文章尚未被其他出版物引用。

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Correction to “Unveiling Metal–CNT Interfacial Wetting and Coverage in Aligned Carbon Nanotube Array-Based Field Effect Transistors”

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期刊介绍： Nano Letters serves as a dynamic platform for promptly disseminating original results in fundamental, applied, and emerging research across all facets of nanoscience and nanotechnology. A pivotal criterion for inclusion within Nano Letters is the convergence of at least two different areas or disciplines, ensuring a rich interdisciplinary scope. The journal is dedicated to fostering exploration in diverse areas, including: - Experimental and theoretical findings on physical, chemical, and biological phenomena at the nanoscale - Synthesis, characterization, and processing of organic, inorganic, polymer, and hybrid nanomaterials through physical, chemical, and biological methodologies - Modeling and simulation of synthetic, assembly, and interaction processes - Realization of integrated nanostructures and nano-engineered devices exhibiting advanced performance - Applications of nanoscale materials in living and environmental systems Nano Letters is committed to advancing and showcasing groundbreaking research that intersects various domains, fostering innovation and collaboration in the ever-evolving field of nanoscience and nanotechnology.