{"title":"在g-Si3N3/Si(111)表面形成有序二维硅(多孔硅)的过程","authors":"В.Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин","doi":"10.34077/rcsp2021-67","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и\nвозможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно\nформировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"13 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого\\nсилицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111)\",\"authors\":\"В.Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин\",\"doi\":\"10.34077/rcsp2021-67\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и\\nвозможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно\\nформировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.\",\"PeriodicalId\":356596,\"journal\":{\"name\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"volume\":\"13 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-09-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-67\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-67","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого
силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111)
В данной работе исследовались процессы формирования упорядоченных фаз кремния и
возможность синтеза силицена на графеноподобных слоях g-Si3N3 и g-AlN, которые предварительно
формировались на поверхности Si(111), по технологии предложенной нами ранее.