Исмаил Магеррамович Алиев, А.П. Ковтун, Г Н Толмачев
{"title":"用高频电容放电电纳米胶片","authors":"Исмаил Магеррамович Алиев, А.П. Ковтун, Г Н Толмачев","doi":"10.36684/57-2022-1-14-19","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной работе рассмотрен процесс создания тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок методом высокочастотного напыление в чистом кислороде поликристаллического стехиометрического BSN – (Ba0,5Sr0,5)Nb2O6-мишени (катода), полученных методом горячего прессования. Приведена схема конструкции камеры высокочастотного напыления. Исследованы наноразмерные кластеры стехиометрической мишени, также установлено что характерные размеры дисперсной фазы ниобата бария стронция лежат в диапазоне от 27 до 108 нм с преобладанием доли малых значений – 80 нм. Приведены типичные рентгенограммы мишени и полученных на её основе тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.","PeriodicalId":142330,"journal":{"name":"Итоговая научно-практическая конференция профессорско-преподавательского состава","volume":"8 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-02-25","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"СОЗДАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ЕМКОСТНОГО ВЫСОКОЧАСТОТНОГО РАЗРЯДА\",\"authors\":\"Исмаил Магеррамович Алиев, А.П. Ковтун, Г Н Толмачев\",\"doi\":\"10.36684/57-2022-1-14-19\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В данной работе рассмотрен процесс создания тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок методом высокочастотного напыление в чистом кислороде поликристаллического стехиометрического BSN – (Ba0,5Sr0,5)Nb2O6-мишени (катода), полученных методом горячего прессования. Приведена схема конструкции камеры высокочастотного напыления. Исследованы наноразмерные кластеры стехиометрической мишени, также установлено что характерные размеры дисперсной фазы ниобата бария стронция лежат в диапазоне от 27 до 108 нм с преобладанием доли малых значений – 80 нм. Приведены типичные рентгенограммы мишени и полученных на её основе тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.\",\"PeriodicalId\":142330,\"journal\":{\"name\":\"Итоговая научно-практическая конференция профессорско-преподавательского состава\",\"volume\":\"8 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-02-25\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Итоговая научно-практическая конференция профессорско-преподавательского состава\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.36684/57-2022-1-14-19\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Итоговая научно-практическая конференция профессорско-преподавательского состава","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.36684/57-2022-1-14-19","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
СОЗДАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ЕМКОСТНОГО ВЫСОКОЧАСТОТНОГО РАЗРЯДА
В данной работе рассмотрен процесс создания тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок методом высокочастотного напыление в чистом кислороде поликристаллического стехиометрического BSN – (Ba0,5Sr0,5)Nb2O6-мишени (катода), полученных методом горячего прессования. Приведена схема конструкции камеры высокочастотного напыления. Исследованы наноразмерные кластеры стехиометрической мишени, также установлено что характерные размеры дисперсной фазы ниобата бария стронция лежат в диапазоне от 27 до 108 нм с преобладанием доли малых значений – 80 нм. Приведены типичные рентгенограммы мишени и полученных на её основе тонких наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.