Caractérisation des dégradations de transistors MOS de puissance sous irradiations

Une nouvelle methode de caracterisation de la degradation sous irradiations des transistors a structure D-MOS de type HEXFET est proposee. Elle est basee sur l'analyse des proprietes de la diode substrat-drain en utilisant les methodes bien etablies de modelisation des jonctions p-n. La description des caracteristiques courant-tension a l'aide des modeles permettant de separer les processus de diffusion et de recombinaison des porteurs, conduit a determiner d'une maniere simple des parametres importants: resistance serie, facteur de qualite, courant inverse de recombinaison et courant inverse de diffusion. La forme des caracteristiques courant-tension de la jonction avec les conditions de fonctionnement est trouvee dependante des defauts induits par les irradiations. Il est montre que les valeurs de la resistance serie, du facteur de qualite et du courant inverse de recombinaison augmentent avec la tension de grille et avec la dose absorbee. Le courant inverse de diffusion est non altere par l'exposition aux radiations.