基于溶液的高k栅极电介质制造

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator (IEEE Cat. No.03EX765) Pub Date : 2003-12-19 DOI:10.1109/IWGI.2003.159179

Y. Aoki, T. Kunitake

引用次数: 3

摘要

本文采用传统介质材料MO/sub x/ (M=Ti, Zr)和二元氧化物复合材料MO/sub x/-MO/sub y/ (M=Ta, La)制备了超薄膜。

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Solution-based fabrication of high-k gate dielectrics

In this paper, we conducted fabrication of ultrathin films from conventional dielectric materials MO/sub x/ (M=Ti, Zr) as well as from binary oxide composites MO/sub x/-MO/sub y/ (M=Ta, La).

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Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator (IEEE Cat. No.03EX765)

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