80ns地址日期多路1mb CMOS EPROM

1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1987.1157235

M. Yoshida, T. Akaogi, M. Higuchi, K. Shirai, I. Tanaka

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摘要

本报告将介绍一个组织为64K×16b的EPROM。预充电技术实现了80ns光屏蔽电池控制冗余字线切换的接入时间。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

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An 80ns address-date multiplex 1mb CMOS EPROM

This report will cover an EPROM organized as 64K×16b. Precharging techniques achieved an access time of 80ns Light-shielded cells control switching of redundant word lines.

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1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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