美国洛杉矶АNDА水平在TWО-DIMENSIОNАL SEMICОNDUCTОR STRUCTURES

SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS Pub Date : 2021-08-30 DOI:10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1

G. Guly а m о v, J.I. Mirz а ev, U.I. Erk а b о ev, А. .. О. .. Y о qubj о n о v

{"title":"美国洛杉矶АNDА水平在TWО-DIMENSIОNАL SEMICОNDUCTОR STRUCTURES","authors":"G. Guly а m о v, J.I. Mirz а ev, U.I. Erk а b о ev, А. .. О. .. Y о qubj о n о v","doi":"10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В данной статье проводится математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений непрерывного спектра плотности состояний в двумерных электронных газах и показана возможность расчета дискретных уровней Ландау . Предложена теория температурной зависимости колебаний квантового эффекта с учетом теплового уширения уровней Ландау в двумерных полупроводниковых структурах . Получено аналитическое выражение для расчета влияния давления на уровни Ландау электронов в зоне проводимости","PeriodicalId":153395,"journal":{"name":"SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-08-30","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"L А ND А U LEVELS IN TW О -DIMENSI О N А L SEMIC О NDUCT О R STRUCTURES\",\"authors\":\"G. Guly а m о v, J.I. Mirz а ev, U.I. Erk а b о ev, А. .. О. .. Y о qubj о n о v\",\"doi\":\"10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В данной статье проводится математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений непрерывного спектра плотности состояний в двумерных электронных газах и показана возможность расчета дискретных уровней Ландау . Предложена теория температурной зависимости колебаний квантового эффекта с учетом теплового уширения уровней Ландау в двумерных полупроводниковых структурах . Получено аналитическое выражение для расчета влияния давления на уровни Ландау электронов в зоне проводимости\",\"PeriodicalId\":153395,\"journal\":{\"name\":\"SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS\",\"volume\":\"41 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2021-08-30\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

摘要

本文使用二维电子气体连续光谱的实验值对过程进行数学模拟，并显示了计算离散级别兰道的可能性。考虑到兰道氏二维半导体结构中的热膨胀，提出了量子效应温度关系理论。有一个分析表达式来计算电导率兰道电子水平的压力影响。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

查看原文本刊更多论文

L А ND А U LEVELS IN TW О -DIMENSI О N А L SEMIC О NDUCT О R STRUCTURES

В данной статье проводится математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений непрерывного спектра плотности состояний в двумерных электронных газах и показана возможность расчета дискретных уровней Ландау . Предложена теория температурной зависимости колебаний квантового эффекта с учетом теплового уширения уровней Ландау в двумерных полупроводниковых структурах . Получено аналитическое выражение для расчета влияния давления на уровни Ландау электронов в зоне проводимости

求助全文

通过发布文献求助，成功后即可免费获取论文全文。去求助

来源期刊

SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS

自引率

0.00%

发文量